วันพฤหัสบดีที่ 16 กุมภาพันธ์ พ.ศ. 2560

รายงานการออกแบบ dual voltage regulator โดยใช้แหล่งจ่ายเดียว






                ก่อนอื่นต้องขอบอกก่อนว่า     โปรเจคนี้เป็นส่วนหนึ่งของวิชา electronic circuit ชั้นปีที่ 1     สถาบันวิทยาการหุ่นยนต์ภาคสนาม    ซึ่งผมได้ออกแบบไว้ทดลองโดยใช้อุปกรณ์ง่ายๆ จึงอยากจะนำมาแลกเปลี่ยนความรู้กันครับ




ส่วนที่ 1 : การทำงานของลิเนียร์เร็กกูเลเตอร์สำหรับแรงดันสองระดับ


1.1)  ภาพรวมของวงจร


dual-supply.jpeg
ภาพที่ 1 : ภาพรวมของวง


การทำงานของวงจรจำกัดแรงดัน สามารถทำได้โดยใช้ไอซี Linear Regulator แบบปรับค่าได้
เบอร์ LM317 (สำหรับฝั่งบวก)  และ LM337            (สำหรับฝั่งลบ)  โดยคำนวณค่า R1 - R4 เพื่อเลือกช่วงแรงดันขาออกที่เหมาะสม



1.2) วิธีการคำนวณ และหลักการออกแบบ

25V-Adjustable-Voltage-Regulator-Schematic.png
จากสมการ(เหมือนกันทั้ง 317 และ 337)   

   Vout = 1.25(1+(R2/R1)+Iadj*R2)

ซึ่ง Iadj = 50uA ซึ่งมีค่าน้อยมากจึงไม่นำมาคำนวณ

           จากสเป็คที่อาจารย์กำหนด ต้องการพาวเวอร์ซัพพลายที่จ่ายแรงดัน 3 - 10 และอุปกรณ์ที่เรามี
นั่นคือตัวต้านทานปรับค่าได้ระหว่าง 0-10Kohm
ดังนั้นจึงสามารถคิดหา R1 ได้คือ
10V = 1.25V(1+ 10K/R1)
(10V - 1.25V )= 1.25V*10K/R1

จะได้ R1 = (1.25*10K)/(10V-1.25V ) = 1430 ohm โดยประมาณ  แต่จากสมการจะสังเกตเห็นว่า เมื่อ R1 น้อยลง Vout จะมากขึ้น ดังนั้น ถ้าเราลดค่า R1 เป็น 1K จะทำให้ Vout ได้ค่ามากกว่า 10V ซึ่งไม่ขัดต่อข้อกำหนด (3-10 V)  สรุปคือ เราจะได้วงจรคุมแรงดันที่ปรับค่าได้ระหว่าง 1.25V - 13.75V

                1.3 หลักการทำงานของ LM317



                การทำงานของเร็กกูเลเตอร์ LM317 ทำงานโดยใช้ Op-amp ทำหน้าที่เป็นวงจร negative feedback หรือวงจรป้อนกลับแบบลบ โดยเอาท์พุตของ Op-amp จะนำไปขับ transistor แบบ Darlington เพื่อเพิ่มอัตราขยาย 
                ข้อสังเกตการทำงานของวงจรป้อนกลับแบบลบคือ  เมื่อมีการต่อเอาท์พุตของระบบเข้าขา inverting-input  และนำแรงดันอ้างอิงเข้าขา non-inverting เมื่อแรงดันเอาท์พุตมากกว่าแรงดันอ้างอิง ระดับแรงดันเอาท์พุตจะต่ำลงตามหลักการทำงานของออปแอมป์ ในทางกลับกันเมื่อแรงดันเอาท์พุตต่ำกว่าแรงดันอ้างอิง จะทำให้แรงดันเอาท์พุตเพิ่มสูงขึ้น สรุปได้จากแรงดันเอาท์พุตจะเท่ากับแรงดันอ้างอิง หรือก็คือ ระดับแรงดันที่ขา inverting จะเท่ากับระดับแรงดันที่ขา non-inverting นั่นเอง
                ข้อสังเกตอีกข้อหนึ่ง คือการต่อเอาท์พุตของออปแอมป์เข้ากับทรานซิศเตอร์ในโหมด common-collector จะทำให้แรงดันเอาท์พุตของทรานซิสเตอร์ไม่เกินแรงดันเอาท์พุตของออปแอมป์อีกด้วย ทำให้ควบคุมระดับแรงดันได้โดยตรง ต่างจากแบบคอมมอนอิมิตเตอร์ที่จะต้องคุมแรงดันผ่านการควบคุมกระแสคอลเลคเตอร์

               เมื่อพิจารณาแรงดันที่จ่ายเข้าขา Adj. จะเห็นว่าเกิดจากการแบ่งแรงดันของ R1,R2  และมีแหล่งจ่ายกระแสอยู่ ซึ่งเราสามารถเขียนเป็นรูปอย่างง่ายได้ดังนี้


                เมื่อใช้ Thevenin's Theorem ในการพิจารณาระบบ โดยการกำหนด  ให้ R2 เป็นโหลด โดยพิจารณาหา Thevenin voltage และ Thevenin resistor  
                การพิจารณาหา Thevenin voltage  โดยตัด Rload หรือก็คือ R2 ออกจากระบบ แล้วคำนวณหา แรงดันที่ตกคร่อมจุดต่อ Rload จะได้ว่า 
Thevenin voltage = I1*R1 + Vout

                การพิจารณาหา Thevenin resistor  ทำได้โดยการตัดแหล่งจ่ายกระแสและโหลดออกจากระบบ จากนั้นเปลี่ยนแหล่งจ่ายแรงดันเป็นการต่อตรง และทำการคำนวณหาค่าความต้านทานจากจุดต่อโหลด จะๆได้
Thevenin resistor  = R1

                เมื่อพิจารณาแรงดันที่ต่อเข้าขา Adj จะพบว่าเกิดจากการแบ่งแรงดันหรือก็คือ V ที่ตกคร่อม R2  คำนวณได้จาก 
Vr2 = Ir2*R2 
Vr2 = (Vthevenin/(R1+R2))R2
Vr2 = (    (I1*R1 + Vout)   /(R1+R2))*R2


                จากวงจรป้อนกลับแบบลบ ทำให้ Vinverting = Vnon-inverting
 ซึ่ง Vinverting = Vout 
และ Vnon-inverting  = Vr2+Vzener
  Vnon-inverting    (  (I1*R1 + Vout)   /(R1+R2))*R2  +   1.25

เมื่อตั้งสมการจะได้
Vout =  (  (I1*R1 + Vout)   /(R1+R2))*R2  +   1.25

Vout =  (  ( I1*R1*R2  + Vout*R2 )   /(R1+R2) ) +   1.25

Vout*(R1+R2) =    I1*R1*R2  + Vout*R2  +   1.25*(R1+R2)

Vout*(R1+R2) -Vout*R2  =    I1*R1*R2    +   1.25*(R1+R2)

Vout*(R1+R2 -R2)  =    I1*R1*R2    +   1.25*(R1+R2)

Vout*(R1)  =    I1*R1*R2    +   1.25*(R1+R2)

Vout  =    I1*R2    +   1.25*(R1+R2)/R1

Vout  =    I1*R2    +   1.25*(1+R2/R1)
จะได้เท่ากับสมการคำนวณข้างต้น

ซึ่ง  I1 ก็คือ  Iadj มีค่าประมาณ 65 uA




               




ส่วนที่ 2: การทำงานของวงจรสร้างแรงดันสองระดับ

2.1)แนวคิดและหลักการทำงาน

16763482_1081723001937604_1790210110_o.jpg

ใช้หลักการการเก็บประจุของตัวเก็บประจุ โดยใช้ตัวเก็บประจุต่ออนุกรมกัน แลัวใช้สวิทช์ในการสลับกันชาร์จตัวเก็บประจุ โดยมีไดโอดป้องกันกระแสไหลย้อนกลับของตัวเก็บประจุ ขณะทำการประจุให้อีกตัวหนึ่ง เมื่อสลับการต่อสวิทช์จะทำให้ตัวเก็บประจุทั้งสองตัวถูกชาร์จและให้ระดับแรงดันสองระดับ  จากแนวคิดนี้ จึงนำทรานซิสเตอร์มาใช้ในการขับกระแสแทนสวิทช์ ยิ่งค่า C มาก ยิ่งที่ให้แรงดันกระเพื่อม หรือ Vripple น้อยลง (เลือกใช้ค่า 470uF ขนาดกัน 2 ตัว)

16763851_1081734398603131_404616273_o.jpg



จากแนวคิดของสวิทช์สามารถใช้ทรานซิสเตอร์ และวงจรสร้างคลื่นสี่เหลี่ยม ในการคุมการสวิชท์ของกระแส โดยจะเลือกใช้มอสเฟท เพื่อให้ขับกระแสได้สูง และความร้อนต่ำ แต่เนื่องจากมอสเฟทจะมีประจุสะสมอยู่ที่ขาเกท ดังนั้นในการสวิทช์จะเกิดเหตุการณ์ที่เรียกว่า dead-time คือช่วงที่มอสเฟตตัวบนและตัวล่างทำงานพร้อมกัน ดังนั้นจึงต้องมีวงจร dead-time controller ที่ทำหน้าที่เหลือมเฟสของสัญญาณ เพื่อไม่ให้เกิด dead-time ขึ้น




2.2) การออกแบบวงจรควบคุมมอสเฟต

VZGdO.png

2.2.1) วงจรสร้างคลื่นสี่เหลี่ยม  โดยใช้ชมิตทริกเกอร์ เนื่องจากสมบัติ hysteresis และการเลือกใช้ not-gate ทำให้เกิดการแกว่งของแรงดันด้านอินพุต และให้สัญญาณสี่เหลี่ยมด้านเอาท์พุต    โดยความถี่ที่ได้จะแปรผกผันกับค่า R และ C โดยข้อควรระวังคือการใช้ตัวต้านทานในการจำกัดกระแสที่ชาร์จตัวเก็บประจุ ไม่ให้เกิดกระแสที่เกตจะจ่ายได้  จากการทดลองใช้ R 10K  และ C 0.1 uF  จะได้ความถี่ประมาณ​ 1K hertz ซึ่งยิ่งความถี่สูง ค่า Ripple ก็จะน้อยลงด้วย แต่ถ้าสูงเกิดไป จะทำให้เฟตทำงานไม่ทัน ส่งผลให้ช่วงเวลา on ของ fet ต่อรอบการสวิทช์น้อยลง (เลือกใช้เกทชนิด CMOS เนื่องจากจ่ายแรงดันได้สูง ใช้ขับมอสเฟตได้โดยตรง)



16804681_1081759935267244_1565373852_o.jpg


2.2.2)วงจรสร้างการเหลื่อมเฟส โดยใช้ไดโอด เพื่อให้กระแสที่ไหลขณะชาร์จ และดิสชาร์จต่างกันส่งผลให้ระยะเวลาขอบขึ้นกับขอบลงต่างกัน


16810367_1081762331933671_1560695635_o.jpg

2.2.3) triming diagram สำหรับขับมอสเฟตโดยไม่เกิด dead-time


16776246_1257025694346944_1885156152_o.jpg
วงจรที่ใช้และจุดวัดสัญญาณ
16805226_1257030717679775_92768534_o.jpg
ลักษณะของสัญญาณขาออก



2.2.4) วงจรสร้างการเหลื่อมเฟส หรือ dead-time controller และภาพสัญญาณที่ได้ จะเห็นกว่า จากการเปรียบเทียบคลื่น B,D จะได้รูปคลื่นสำหรับขับมอสเฟตพอดี

16681929_1079901655453072_2541288501838789401_n.jpg
การประกอบวงจรภายใน





16682018_1426782717385246_5203987926081729084_n.jpg
ภาพของสัญญาณที่ใช้ขับเกตของมอสเฟต













ไม่มีความคิดเห็น:

แสดงความคิดเห็น